東坑熱處理技術(shù)的發(fā)展非常迅速，現(xiàn)在不僅直徑200～300毫米硅片工藝線已離不開快速熱處理技術(shù)，而且還開發(fā)了快速加熱鍺硅外延系統(tǒng)。由于鍺硅/硅異質(zhì)結(jié)薄膜材料是新一代的硅基材料，該材料制作的高性能異質(zhì)結(jié)晶體管(HBT)可替代移動通訊領(lǐng)域GaAs微波功率器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。
    東坑熱處理在國家自然科學(xué)基金和“九五”重點科技攻關(guān)計劃的資助下，科研人員又利用RHT技術(shù)開發(fā)成功“紅外快速加熱高真空鍺硅化學(xué)氣相外延系統(tǒng)”。該系統(tǒng)在總體結(jié)構(gòu)設(shè)計上采用內(nèi)外腔、石英方腔生長室及石墨加熱器，在國際上屬獨創(chuàng)，達(dá)到世界先進(jìn)水平。
    東坑熱處理要抓住機(jī)遇，通過市場機(jī)制，引入風(fēng)險投資，開發(fā)新的RHT設(shè)備，爭創(chuàng)民族品牌，使RHT技術(shù)與設(shè)備不僅占領(lǐng)國內(nèi)市場，而且出口到國際市場，為國家爭光，為民族爭氣。